中二病

一 |     Sophie 编译 警方对陷入困境的前绿党议员Golriz Ghahraman提起了第三项入店行窃指控。

二 |          这项指控与去年10月发生在惠灵顿一家零售商的事件有关。         Advertise with us          警方在今天的一份声明中说：“作为一项涉及公众利益的入店行窃调查的一部分，已提起第三项指控。    【TechWeb】知名半导体分析机构 SemiAnalysis 发布了对华为麒麟 9030 芯片的拆解报告。

三 | 报告显示，这颗由中芯国际（SMIC）代工的芯片，其最小金属间距（metal pitch）达到 32.5nm，比 Intel 最新的 18A 工艺 Panther Lake 的 36nm 还要大约 10%。更关键的是，这家中国晶圆厂是在无法获得最先进 EUV 光刻机的情况下，通过 DUV 多重 patterning 和设计-工艺协同优化（DTCO）达到这一密度水平。”          “之前被指控的女子现在将面临另一项入店行窃的指控，这与2023年10月22日在惠灵顿一家零售商的违法行为有关。”          “这名女子将于2024年2月1日在奥克兰地区法院就三项指控出庭。         一颗“金属间距比 Intel 18A 更小”的中国芯片          SemiAnalysis 的拆解指出，麒麟 9030 采用 SMIC 的 N+3 工艺（第三代 7nm 级节点），其 M0 局部金属层间距为 32.5nm，而 Intel 18A 的 M0 间距为 36nm。”          警方早些时候证实，他们正在调查10月22日发生在惠灵顿高档商店Cre8iveworx的一起事件，据称这起事件涉及Ghahraman，四天后有人向警方报案。         Ghahraman将于2月1日在奥克兰地区法院出庭，面对两项与12月21日和23日在奥克兰Ponsonby的精品店Scotties Boutique发生的事件有关的入店行窃指控。         她将于同一天在奥克兰地区法院就三项指控出庭。         绿党的领导人在警方调查仍在进行时一直不愿就具体指控发表评论，联合党魁James Shaw表示：“我们不想代替警方做工作。

四 | 重要的是她正在承担责任。

五 | 这意味着在最细金属线宽这一指标上，SMIC N+3 已比 Intel 最新一代逻辑节点更“紧凑”。

六 | ”          《犯罪法》规定，如果盗窃财产价值超过1000纽币，若罪名成立，盗窃者将被判处最高不超过7年的监禁。         不过，报告也强调，金属间距只是衡量制程能力的指标之一，并不能代表整体工艺水平。         如果被盗财产的价值超过500纽币但低于1000纽币，盗窃者将面临最高不超过一年的监禁；如果被盗财产价值不超过500纽币，则盗窃者将面临最长不超过三个月的监禁。SMIC N+3 的晶体管密度约 113.4 MTr/mm²，略高于 TSMC N6 的 107.7 MTr/mm²，但仍明显落后于 Intel 18A 的高密度库。         没有 EUV，如何做到更密金属层？          在 EUV 光刻机被出口管制限制的背景下，SMIC N+3 并没有“等 EUV 可用”才开始推进先进制程。

七 | SemiAnalysis 的分析显示：          SMIC 通过“DUV 浸没式 + 自对准四重图形（SAQP）”等高复杂度工艺，实现与 TSMC N6 相当的逻辑密度，但代价是工序更多、成本更高、控制难度更大。         相关阅读：          前绿党议员被警方指控两项入店行窃罪，下月出庭          前绿党议员涉嫌行窃案：警方上门调查          涉嫌多次行窃的绿党议员从国会辞职：“我辜负了很多人，非常抱歉！”          绿党议员涉嫌第三起偷窃事件！这次发生在惠灵顿          涉嫌偷窃的绿党议员，今天回新西兰了，结果……          毁三观！新西兰知名国会议员第二起偷窃事件曝光！党魁发布声明！          第二起商店行窃事件被披露，绿党议员四面楚歌          知名绿党议员被指控行窃后保持沉默，政治评论员称很难重建声誉          【先驱自媒】震惊！新西兰国会议员被指控在奥克兰精品店行窃！          从伊朗难民到新西兰国会议员，年仅35的她经历了怎样开挂的人生？          她是新西兰首位难民国会议员 却不幸罹患多发性硬化          注：本文为编译/原创，欢迎转发分享；但严禁复制等未经授权的非法使用。违反上述声明者，本网将追究其相关法律责任。使用授权请联系[email protected]。

八 |          chineseherald.co.nz All Rights Reserved 版权所有          (责编：Sophie)。报告明确提到，即便没有 EUV，SMIC 仍达到甚至超过了一些使用 EUV 的成熟节点（如 TSMC N6）的密度水平。         这回答了 SemiAnalysis 提出的那个关键问题：在 EUV 不可得的前提下，中国芯片制造到底走到了哪一步？——至少从金属间距和局部密度看，它已经逼近甚至某些指标上“咬住”了最新一代制程。

九 |          金属更密 ≠ 整体领先          SemiAnalysis 同时强调，“金属间距更小”的标题很抓眼球，但并不等同于工艺整体领先：          在晶体管密度、性能、功耗等综合指标上，SMIC N+3 仍落后于 Intel 18A、TSMC N3P 等最先进节点。高密度是通过更复杂的 DUV 多重图形、更严苛的设计规则和工艺控制“换”来的，这在良率和成本上带来额外挑战。报告指出，麒麟 9030 的整体性能大致相当于三年前的 Android 旗舰 SoC，与当前苹果、高通、联发科、三星的最新旗舰仍有明显差距。         对先进制程竞争格局的启示          这次拆解再次说明，先进半导体竞争比“有没有 EUV”的简单二元判断更复杂：在没有 EUV 的条件下，SMIC 通过 DTCO、SAQP 等手段，仍然把金属层密度推进到接近甚至部分指标优于 Intel 18A 的水平。这意味着出口管制改变了问题的难度，但并未完全冻结中国先进制程的演进路径。同时，从性能、功耗、良率等多维度看，SMIC 与全球最领先工艺之间仍有明显差距，中国在整体生态、EDA、材料与设备等方面仍面临“追赶之路”。